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本文讨论了广泛的辐射损伤，未受保护，辐射软，P沟道MOS晶体管无论是高能质子或重离子束照射测量。这些研究提供了重要的数据到这至少MOS晶体管的复杂类型的辐射反应不同离子和有价值的见解。正栅偏压，负责重组氧化物是如此明显，每单位剂量的阈值电压转移下的重离子辐照质子风险测量的只有百分之几。数据还表明，重离子氧化物和通道，明显高于观察钴60或高能质子辐照不同做了相当大的辐射损伤。这些分歧除了具有根本的重要性，提高用人重离子在某些种类的设备测试的适用性问题。

本文所做的广泛辐射损伤测量高能质子或重离子束辐照的受保护、 辐射软，p-通道 MOS 晶体管。这些研究提供重要的数据，并提出宝贵的意见对不同离子辐射反应的这种最复杂类型的 mos 受雇。重离子辐照积极门偏压下，收复合氧化物所以宣判的阈值电压变化每单位剂量是只有几个百分点的那些测量质子照射。数据也表明，重离子做相当大的辐射损伤氧化和钴-60 或高能质子辐照观察到明显不同的通道。这些差异，除了具有根本重要性提高雇用重离子在某些类型的设备测试中的适用性的问题。

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本文所做的广泛辐射损伤测量高能质子或重离子束辐照的受保护、 辐射软，p-通道 MOS 晶体管。这些研究提供重要的数据，并提出宝贵的意见对不同离子辐射反应的这种最复杂类型的 mos 受雇。重离子辐照积极门偏压下，收复合氧化物所以宣判的阈值电压变化每单位剂量是只有几个百分点的那些测量质子照射。数据也表明，重离子做相当大的辐射损伤氧化和钴-60 或高能质子辐照观察到明显不同的通道。这些差异，除了具有根本重要性提高雇用重离子在某些类型的设备测试中的适用性的问题。