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位移造成的损害，以重离子和中子辐照在硅双极结晶体管之间的比较，我们提出了一系列度量。我们比较离子和快中子照射，确定一个等价离子中子损伤。我们发现的指标组合（破坏因素，深能级瞬态谱（DLTS）和退火因子），以确保在离子中子转换所涉及的物理全面了解。损伤因子的线性度（主要是探测基 - 射结），以确保有效的比较是不够的，相反，我们还必须使用其他技术（DLTS和电容测量），以确保没有发生，集电极补偿。因此，必须小心选择离子暴露在辐射光束。位移损坏高峰期，在敏感区域的设备，以确保最大增益退化，并尽量减少集热器的补偿。

我们提出一系列的度量标准比较重离子位移损害和中子辐照硅双极型晶体管。我们比较了离子和快中子辐照来确定离子-中子损伤等效。我们发现指标 （损伤因子、 深层瞬态光谱 (DLTS) 和退火因子） 的组合需要，确保物理离子-中子转换中涉及全面的了解。线性度的 （主要探索基地发射交界处） 的破坏因素并不足以确保有效的比较 ；相反，我们还必须确保收集器补偿均没有发生使用其他技术 （DLTS 和电容测量)。因此，必须小心选择离子照射的辐射光束。位移损坏应达到峰值敏感地区的设备，同时确保最大增益退化，并尽量收集器补偿。

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我们提出一系列的度量标准比较重离子位移损害和中子辐照硅双极型晶体管。我们比较了离子和快中子辐照来确定离子-中子损伤等效。我们发现指标 （损伤因子、 深层瞬态光谱 (DLTS) 和退火因子） 的组合需要，确保物理离子-中子转换中涉及全面的了解。线性度的 （主要探索基地发射交界处） 的破坏因素并不足以确保有效的比较 ；相反，我们还必须确保收集器补偿均没有发生使用其他技术 （DLTS 和电容测量)。因此，必须小心选择离子照射的辐射光束。位移损坏应达到峰值敏感地区的设备，同时确保最大增益退化，并尽量收集器补偿。