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二极管是由一个单一的 p-n 路口的设备。P 型及 n 型半导体那里交界形成称为 n 型区域从 p 型区域进行阻止电流传导 n 型地区 p 型区域，但允许当前耗尽层区域。因此当设备向前偏颇，与 p-方在更高的电势，二极管进行电流很容易 ；但当前很小的时候二极管是反向偏压。

二极管是由一个唯一p-n连接点做的设备。 在p类型和n类型半导体的连接点那里形成称阻拦当前传导从n类型区域对p类型区域的取尽区域的区域，但允许潮流从p类型区域举办对n类型区域。 因而，当设备正向加偏压，与p边在更高的电潜力，二极管时容易地举办潮流; 当二极管是反向偏心的时，但潮流是非常小的。

《二极管是一个设备作了从一个单一P-N结点。 在交界处的一个P型和一个N型半导体,形式要求的一个地区的区块耗尽目前传导的N型区域对P型区域,而是允许目前进行的P型区域对N型地区。 因此,该设备是前带有偏见的、与P-方在高电气潜力,目前进行的二极管容易;但目前是很小的二极管是扭转时带有偏见。

二极管是由一个单一的 p-n 路口的设备。P 型及 n 型半导体那里交界形成称为 n 型区域从 p 型区域进行阻止电流传导 n 型地区 p 型区域，但允许当前耗尽层区域。因此当设备向前偏颇，与 p-方在更高的电势，二极管进行电流很容易 ；但当前很小的时候二极管是反向偏压。