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而这个过程中有很大的希望改变半导体制造方式，金属沉积步骤（图6.2c）是与传统的AR溅射> 0.5不兼容。
虽然这一进程有很有前途的改变的方式半导体由，金属沉积步 （图 6.2 c） 不符合常规溅射的 AR 大于 0.5。
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虽然这一进程有很有前途的改变的方式半导体由，金属沉积步 （图 6.2 c） 不符合常规溅射的 AR 大于 0.5。
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