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薄膜制备ITO导电玻璃表面上sr2ce04沉积法eleetrophoretic,其厚度范围从0.9307到3.2150 zm
Sr2Ce04 薄膜表面的 ITO 玻璃被 eleetrophoretic 沉积法制备及他们厚度范围从 0.9307 到 3.2150/zm
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sr2ce04部影片在表面上的沉积ito玻璃eleetrophoretic编写的方法及其厚度范围为0.3.2150 /zm9307
Sr2Ce04 薄膜表面的 ITO 玻璃被 eleetrophoretic 沉积法制备及他们厚度范围从 0.9307 到 3.2150/zm
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