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因为栅极电压落在跨双层电极 - 电解质界面，有效门厚度上几离子溶剂化，从而在一个大的门大领域field.this顺序是，允许可逆开关的分子之间的氧化还原氧化并减少states.for例如，氧化分子，，苝tetracarblxylic酰亚胺（PTCDI）研究发现电流可以通过分子可逆近三个数量级vaaried。

因为门电压范围跨双电极电解质界面层，所以有效门厚度是顺序的几个溶解离子、 而导致大闸门的字段。此大的字段允许氧化还原分子氧化和减少国家之间的可逆开关。例如，氧化还原的分子，tetracarblxylic 酰亚胺苝 （PTCDI） 的研究发现有电流通过分子可以是可逆 vaaried 在近三个数量级。

由于门电压横跨双层下跌

由于栅极电压跌落过双图层在电极-电解质界面,有效的门厚度为几溶剂化物离子,可结果在一个大型门”字段中的选项。此字段允许使用大分子的氧化还原可逆性之间的切换,减少氧化状态。例如,一项研究的改性tetracarblxylicdiimide(ptcdi),一个氧化还原分子,发现目前的分子可以通过vaaried可逆性地在将近三个数量级。

因为门电压范围跨双电极电解质界面层，所以有效门厚度是顺序的几个溶解离子、 而导致大闸门的字段。此大的字段允许氧化还原分子氧化和减少国家之间的可逆开关。例如，氧化还原的分子，tetracarblxylic 酰亚胺苝 （PTCDI） 的研究发现有电流通过分子可以是可逆 vaaried 在近三个数量级。